高精度光刻曝光机

高精度光刻曝光机特点
光刻曝光机可用于直径达6英寸的晶圆片。
“用于多产品生产领域的研究和发展”。
“前沿技术”。
采用完全非接触式掩模对准系统。
掩模对准时不会损坏掩膜和晶圆。
间隙精度显著提高。
电脑监控采用交互式操作。
根据“辅助线”可以进行高精度定位。
掩模对准曝光机SMA-600M是用于研发和多种产品生产领域的手动紫外曝光机，采用了清晰的光学系统和完全非接触式校准装置。通过接触或靠近模式，晶圆曝光可达150mm。该紫外曝光机系统对于各种电子设备，例如化合物半导体的LD，LED，和微型机械的制造过程，包括压力传感器等来说，是最适合曝光过程的高精度光刻曝光机。
桌面型高精度光刻曝光机(MEMA-800)
特点
经济型，紧凑型和高级别性能的光刻机
视图中聚焦图像可看到两个校准标记。
曝光用集成镜头。
LED照明灯
高精度光刻曝光机应用
（研发中心和大学的微机械发展）
驱动器，压力传感器，加速度传感器，电力设备等。
用于倒装芯片/ BGA/ CSP的曝光。
用于光学/高速通信组件的曝光。
高精度光刻曝光机规格

Alignment Scope
目标分离	15 ~ 75mm
总放大倍数	100X
观察用的照明灯	红色 LED (l=633 nm)
工作台的X，Y轴的移动范围	±5 mm
调整	±5°
Utility
主机和汞灯的电源	AC 100V 50/60Hz 15A
真空源	低于 21.3 Kpa (从大气压到-80 Kpa )
Exposure Unit
镜头	集成镜头
汞灯	250W 超高压蒸汽汞灯
有效曝光区域	最大 100 mm
强度分布	±5% 或更少
照明强度	20 mW/cm2 (405 nm)
曝光时间控制	数字定时器和旋转电磁阀
汞灯照明单元	AC 110V

Double View Mask Aligner双视野高精度光刻曝光机

MPEM-16M （适用于直径达4英寸的晶圆）	MPEM-12M （适用于直径达6英寸的晶圆）	MPEM-1600 （适用于直径达8英寸的晶圆）

MPEM系列高精度光刻曝光机是高精度双视野紫外曝光机，包括在顶部的对准光学系统和在底部的晶圆，因此装顶部表面可进行接触、软接触和接近图案，在底部晶圆可校准图案。高分辨率光学系统，在顶侧和底侧安装了对称的10X物镜，因此可精确对准以掩模和晶圆。成对的物镜之间的间隔距离可以调节，所以可以自由地对准不规则形的晶圆。
* 除了上述这些，还有机动型MPEM-2000/4000和全自动型MPEM-8M/12M 。
更多详情浏览：http://www.f-lab.cn/plasma.html
掩模对准光刻机规格

		MPEM-1600	MPEM-12M	MPEM-16M
光掩模尺寸		最大 5-英寸	最大7-英寸	最大9-英寸
晶圆尺寸		最大达4英寸（非结晶型）	最大达6英寸（非结晶型）	最大达8英寸（非结晶型）
掩模固定座滑动		手动夹盘
掩膜运动		X=±3 mm, Y=±3 mm
e曝光	方法	软接触/硬接触/接近曝光
	照明	250W超高压汞蒸汽灯	500W超高压汞蒸汽灯
	不规则照明	±5%
	有效曝光区域	直径100 mm O	直径150 mmO	直径200 mmO
	分辨率	3mµ L/S
对准	方法	由目镜观察（精神领域系统）		9英寸的监控器系统
	物镜镜头	10X 两对（更高/更低）
	目镜	NWF 10X （一对）		-
	总放大倍数	100X		200X
	物镜分离距离	15 ~ 90 mm	80 ~ 140 mm	55 ~ 184 mm
	聚焦单元	手动
	对准范围	X, Y = ±4mm ? = ±22.5°	X, Y = ±4mm ? = ±5°
	对准间隔	09 ~ 99µm
	对准精度	少于 ±5mm
一次性用具	主机电源	100-220V AC, 50/60Hz, 15A (600W)
	汞灯电源	100-220V AC, 50/60Hz, 15A (550W)	100-220V AC, 50/60Hz, 15A (1,100W)
	氮气	0.4 ~ 0.5 Mpa	100-220V AC, 50/60Hz, 15A (1,100W)
	真空压力	少于 21.3kPa (从大气压到-80kPa )
尺寸（主机）		750(宽)x 820(深)x 1,700(高)mm	940(宽)x 860(深)x 1,670(高)mm	1,200(宽)x 1,090(深)x 1,800(高)mm
净重		约，450 kg	约，550 kg	约，700 kg
选项		NWF 15X 目镜（一对）  9英寸TV 监控系统（黑色和白色）