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独立式化学气相沉积CVD系统是易于使用的Chemat Scientific CVD系统-辅光仪器
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独立式化学气相沉积(CVD)系统

独立式化学气相沉积(CVD)系统是一个易于使用的系统,用于均匀沉积薄膜材料,包括半导体、碳化硅(SiC)、金属基板上的氧化物、碳化物、氮化物等。得到的薄膜表现出优异的均匀性和良好的阶梯覆盖。化学气相沉积(CVD)系统也可用于合成纳米材料,例如碳纳米管,石墨烯、半导体纳米线。
型号:
FPCHE-CVD
品牌:
进口
价格:
¥0.00
类别:
在线客服邮箱 info@f-lab.cn 服务热线  021-2279 9028 您也可网站留言或在线客服留言垂询,辅光仪器-规模型进口精密科学仪器供应商欢迎您!

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独立式化学气相沉积(CVD)系统是一个易于使用的系统,用于均匀沉积薄膜材料,包括半导体、碳化硅(SiC)、金属基板上的氧化物、碳化物、氮化物等。得到的薄膜表现出优异的均匀性和良好的阶梯覆盖。化学气相沉积(CVD)系统也可用于合成纳米材料,例如碳纳米管,石墨烯、半导体纳米线。
独立式化学气相沉积(CVD)系统包括一个具有长均匀加热区的CVD炉、一个混合气体模块由质量流量计和真空模块控制。系统连接器使用不锈钢法兰和高温O形密封圈密封。炉子在滑动导轨便于移动,便于快速冷却。气体模块最多可混合三种气体由质量流量计监测的源。配备两级旋转式/分子真空泵,系统真空可达。
金属、半导体和介电材料至关重要电子设备组件(如高效太阳能电池板、存储系统、计算机芯片和各种高性能工具)通常通过化学方法制造气相沉积。化学前体在这些方面起着非常关键的作用器件制造和Chemat提供了广泛的高纯度CVD用于这些应用的前体。这些前体是包装在不锈钢气泡中,可轻松连接到化学气相沉积系统。可用的前体有制造金属的金属醇盐、烷基酰胺和乙酰丙酮氧化物、氮化物和金属。
独立式化学气相沉积(CVD)系统规格参数
炉子部分
最大温度:1200℃
加热区域:270mm 
均匀加热区域:100mm 
石英管直径:40/60/80/100mm可选
石英管长度:1000mm 
滑轨长度:820mm 
气体混合模块
气源:3个
气源控制:质量流量计
范围:0-1 SLM
真空模块
真空:旋转/分子 2级泵
最大真空:6x10^-3 Pa
真空显示:数字

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